Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A 171 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 220-7458
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R065C7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A 171 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.126.00

Auf Lager

210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	CHF.4.20	CHF.125.87
60 - 120	CHF.3.99	CHF.119.61
150 +	CHF.3.822	CHF.114.57

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7458
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R065C7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	145A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	CoolMOS C7
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	65mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	64nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	171W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.21 mm
	Höhe	21.1mm
	Länge	16.13mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 145A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie CoolMOS C7
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 171W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.21 mm
	Höhe 21.1mm
	Länge 16.13mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW65R065C7XKSA1

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

650 V Spannung

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

Hervorragende Cool MOS TM-Qualität

Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A 171 W, 3-Pin TO-247

Verwandte Links