Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A 171 W, 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
IPW65R065C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS C7

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

171W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Länge

16.13mm

Breite

5.21 mm

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

650 V Spannung

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

Hervorragende Cool MOS TM-Qualität

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