Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 101 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9119
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.26.46
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.5.292 | CHF.26.47 |
| 25 - 45 | CHF.5.03 | CHF.25.15 |
| 50 - 120 | CHF.4.526 | CHF.22.64 |
| 125 + | CHF.4.505 | CHF.22.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9119
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 101W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 101W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 101 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 8 A, 3-Pin IPA65R190C7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A, 3-Pin IPA65R225C7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 102 W, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 102 W, 5-Pin IPL65R130C7AUMA1 VSON
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 4-Pin TO-247