Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin BSS84PWH6327XTSA1 SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 145-8835
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.053 | CHF.151.20 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.042 | CHF.141.75 |
| 15000 + | CHF.0.042 | CHF.135.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-8835
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 1.25 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs
Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.
· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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