Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 620 mA 0.5 W, 3-Pin SC-59

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (50 Stück, in einer Packung mit 50)*

CHF 26.25

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1'600 Einheit(en) mit Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 50CHF 0.525CHF 26.01
100 - 200CHF 0.384CHF 18.99
250 - 450CHF 0.364CHF 17.93
500 - 1200CHF 0.333CHF 16.67
1250 +CHF 0.303CHF 15.30

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-2469
Herst. Teile-Nr.:
BSR315PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

620mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SC-59

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 620 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSR315PH6327XTSA1


Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Schalt- und Signalsteuerung in kompakten Baugruppen zur Oberflächenmontage entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine geringe Dauerstrombelastbarkeit und geringe Verlustleistung in einem kleinen SC‐59-Gehäuse erfordern. Die Komponente eignet sich, wenn ein Schaltelement mit niedriger Gate-Ladung und eine unkomplizierte Gate-Drive-Fähigkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Ablassspannung von 60 V ermöglicht Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• 800 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei geringen Strömen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,62 A unterstützt Kleinsignallasten
• Die typische Gate-Ladung von 6 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 0,5 W Verlustleistung eignet sich für oberflächenmontierte Designs mit geringem Stromverbrauch
• Bemessung von -55 °C bis 150 °C für erweiterte Temperaturumgebungen

Anwendungsbereich


• Wird für Batterieschutzschaltungen mit niedriger Spannung verwendet
• Geeignet für die Umschaltung des Strompfads tragbarer Geräte
• Ideal für die Steuerung der Signalpegel-Polarität in Modulen
• Kann für kleine Motorantriebs-Gate-Stufen verwendet werden
• Verwendung mit thermisch begrenzten SMD-Baugruppen

Welche Gate-Drive-Einschränkungen sollte ich berücksichtigen?


Das Gate kann bis zu ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, sodass sichergestellt ist, dass die Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieses Spannungsbereichs bleiben.

Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die kontinuierliche Stromverarbeitung aus?


Die Verlustgrenze von 0,5 W begrenzt den Strom bei hohen Umgebungstemperaturen

ist eine angemessene Leiterplatten-Temperaturentlastung oder Entlastung erforderlich, um einen Dauerstrom von 0,62 A aufrechtzuerhalten.

Welche Befestigungsaspekte sind bei der Montage zu berücksichtigen?


Er wird in einem oberflächenmontierten SC‐59-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, sodass Standard-SMD-Reflow-Profile und das richtige Bodenmuster empfohlen werden.

Ist dieses Gerät für Kfz-Spezifikationsprogramme geeignet?


Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert und sollte nicht angegeben werden, wo eine Zertifizierung in Automobilqualität erforderlich ist.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.