Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 620 mA 0.5 W, 3-Pin SC-59
- RS Best.-Nr.:
- 215-2469
- Herst. Teile-Nr.:
- BSR315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.6.30
Auf Lager
- 2’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF.0.126 | CHF.6.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2469
- Herst. Teile-Nr.:
- BSR315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 620mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-59 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 620mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-59 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon SIPMOS ® Kleinsignal-Transistor P-Kanal-Anreicherungs-Modus Feldeffekttransistor (FET), maximale Drain-Source-Spannung von -20 V mit SOT-23-Gehäusetyp. Die äußerst innovativen OptiMOS-Familien von Infineon umfassen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen durchgängig die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für das Design von Stromversorgungssystemen wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahl. Der BSS84P ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in einem kleinen SMD-Gehäuse mit überragender Schaltleistung. Dieses Produkt eignet sich besonders für Niederspannungsanwendungen mit niedrigem Stromverbrauch.
Enhancement-Modus
Logikpegel
Für Stoßentladung ausgelegt
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
DV/dt-ausgelegt
Bleifreie bleifreie Beschichtung
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 620 mA 0.5 W, 3-Pin SC-59
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin BSS84PWH6327XTSA1 SC-70
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin SC-70
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin BSS138WH6433XTMA1 SC-70
- Infineon BSR316P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin SC-59
- Infineon BSR92P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 140 mA 500 mW, 3-Pin SC-59
- Infineon BSR316P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin BSR316PH6327XTSA1 SC-59