Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
145-9479
Herst. Teile-Nr.:
IPD034N06N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

98nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.413mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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