Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin IPD034N06N3GATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 825-9168
Herst. Teile-Nr.:: IPD034N06N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin IPD034N06N3GATMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.15.54

Auf Lager

Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Zusätzlich 1’830 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	CHF.1.554	CHF.15.56
50 - 90	CHF.1.481	CHF.14.78
100 - 240	CHF.1.418	CHF.14.17
250 - 490	CHF.1.323	CHF.13.23
500 +	CHF.1.25	CHF.12.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 825-9168
Herst. Teile-Nr.:: IPD034N06N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	98nC
	Maximale Verlustleistung Pd	167W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.413mm
	Breite	6.22 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC
	Maximale Verlustleistung Pd 167W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.413mm
	Breite 6.22 mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin IPD034N06N3GATMA1 TO-252

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

MOSFET-Transistoren, Infineon

Verwandte Links