- RS Best.-Nr.:
- 146-4231
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFA80N25X3
- Marke:
- IXYS
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- IXFA80N25X3
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit
Überlegene Durchbruchfähigkeit
Gehäuse nach internationaler Norm
Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge
Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
Motorsteuerung
DC/DC-Konverter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Elektrisch betriebene Gabelstapler
Audioverstärker der Klasse D
Telekommunikationssysteme
Hohe Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Erhöhte Systemzuverlässigkeit
Einfache Integration
Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit
Überlegene Durchbruchfähigkeit
Gehäuse nach internationaler Norm
Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge
Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
Motorsteuerung
DC/DC-Konverter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Elektrisch betriebene Gabelstapler
Audioverstärker der Klasse D
Telekommunikationssysteme
Hohe Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Erhöhte Systemzuverlässigkeit
Einfache Integration
200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern
Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung
12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul
Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS
microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren
SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe
Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG
10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle
Erweiterter Speicherschutz
2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash )
640 KB SRAM-Speicher
Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung
12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul
Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS
microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren
SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe
Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG
10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle
Erweiterter Speicherschutz
2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash )
640 KB SRAM-Speicher
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
Serie | HiperFET |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 16 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 390 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Breite | 11.05mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 83 @ 10 V nC |
Länge | 10.41mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
Höhe | 4.83mm |