IXYS HiperFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 66 A 1.25 kW, 3-Pin TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 146-4244
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK66N85X
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Serie | HiperFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 850 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 66 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 1.25 kW | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.4 V | |
| Höhe | 26.3 mm | |
| Länge | 20.3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 65 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 230 nC | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Serie HiperFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 850 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 66 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 1.25 kW | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.4 V | ||
Höhe 26.3 mm | ||
Länge 20.3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 65 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 230 nC | ||
Breite 5.3 mm | ||
The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.
Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg
Fast body diode
dv/dt ruggedness
Avalanche rated
Low package inductance
International standard packages
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