Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 76 A 106 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 152-5537P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN8R5-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 152-5537P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN8R5-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 106W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 106W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).
N-Kanal LFPAK 60 V, 8 mΩ MOSFET für Standardpegel, N-Kanal-MOSFET für Standardpegel in LFPAK-Gehäuse, qualifiziert bis 175 °C. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen in Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsgeräten entwickelt und zugelassen.
Der fortschrittliche TrenchMOS bietet einen niedrigen RDSon und eine geringe Gate-Ladung
Hohe Steigerung der Effizienz für Schaltwandler
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