Vishay Si4848DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.7 A 3 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 152-6374
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4848DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.90
Auf Lager
- 5 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 555 Einheit(en) mit Versand ab 02. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.98 | CHF.9.88 |
| 50 - 120 | CHF.1.778 | CHF.8.91 |
| 125 - 245 | CHF.1.677 | CHF.8.40 |
| 250 - 495 | CHF.1.576 | CHF.7.90 |
| 500 + | CHF.1.485 | CHF.7.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-6374
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4848DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | Si4848DY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie Si4848DY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.55mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Halogenfrei
Leistungs-MOSFETs TrenchFET®
Verwandte Links
- Vishay Si4848DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.7 A 3 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.7 W, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.2 A 2.7 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 2.3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.9 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4162DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13.6 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 19 A 6 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4403CDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 13.4 A 5 W, 8-Pin SOIC