Vishay Si4178DY N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -verwaltung in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er bietet eine moderate Spannungsbelastbarkeit und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit, die sich für Anwendungen eignet, bei denen effiziente Hochstromschaltung und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Die Komponente ist RoHS-konform und für die Montage auf Platinenebene in industriellen und gewerblichen Designs vorgesehen.

• Der Ablasswert von 30 V ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 12 A Dauerstrom unterstützt die Steuerung von Hochstromlasten
• 33 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Die typische Gate-Ladung von 7.5 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Die Verlustleistung von 5 W hilft bei der Bewältigung der thermischen Belastung in kleinen Gehäusen

• Geeignet für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Wird mit Motortreibern für kompakte Betätigungselemente verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsgeräten verwendet werden

Das Gerät nimmt bis zu 25 V zwischen Gate und Quelle auf, sodass Gate-Treiber innerhalb dieser Grenze bleiben müssen, um Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden.

Mit einer Verlustleistung von 5 W sollten die Entwickler eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen unterhalb der SOIC-Abmessungen bereitstellen, um die Wärmeausbreitung zu verbessern und die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.

Es funktioniert zuverlässig von -55 °C bis 150 °C, was die Auswahl für Anwendungen, die großen thermischen Extremen ausgesetzt sind, informiert.

Das Teil wird in einem oberflächenmontierten SOIC-8-Gehäuse mit einer Gesamtprofilhöhe von 1,55 mm geliefert, sodass das Schablonendesign und das Volumen der Lötpaste auf konsistente Lötverbindungen abgestimmt werden müssen.