Vishay Si4178DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-7249
Herst. Teile-Nr.:: SI4178DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Si4178DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SI4178DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	Si4178DY
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	33mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	25V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	7.5nC
	Durchlassspannung Vf	0.85V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.55mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	4mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie Si4178DY
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 5W
	Gate-Source-spannung max Vgs 25V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC
	Durchlassspannung Vf 0.85V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.55mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 4mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

MOSFET der Serie Si4178DY von Vishay, 30 V maximale Drain-Quellenspannung, 12 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI4178DY-T1-GE3

Es handelt sich um einen oberflächenmontierten N-Kanal-MOSFET für Leistungsschalt- und Hochstromanwendungen in elektronischen Systemen. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor und wird in einem SOIC-8-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät unterstützt das Schalten moderater Spannungen und eignet sich für Designs, die kompakte Leistungstransistoren mit kontrollierten Gate-Lade-Eigenschaften erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ableiterspannung von 30 V ermöglicht Niederspannungs-Stromversorgungsschaltung • 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Lastströme • 33 mΩ Drain-Source-Widerstand für reduzierte Leitungsverluste • 7,5 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge • 5 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Leistung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für breite thermische Toleranz

Anwendungen

• Geeignet für DC-Stromverteilungsschalter in Automationsschalttafeln • Ideal für Motortreiber-Low-Side-Schaltung in industriellen Antrieben • Wird zum Schalten der Last in Stromverwaltungsschaltkreisen für Steuerungssysteme verwendet • Kann für synchrone Gleichrichtung in kompakten Leistungswandlern verwendet werden • Geeignet für Batterieschutz und Power-Path-Steuerung in Maschinen

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf ±25 V nicht überschreiten, um Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden und ein zuverlässiges Schalten zu gewährleisten.

Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte behandelt werden?

Mit einer Verlustleistung von 5 W bieten sie eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen, um die Sperrschichttemperatur während des kontinuierlichen Hochstrombetriebs zu senken.

Welche Überlegungen zur Anzahl der Pins und des Gehäuses beeinflussen das Layout?

Das Gerät wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, sodass die Schienenbreiten und der Pad-Abstand für die Oberflächenmontage und die Wärmeleitung geeignet sein sollten.

Welche elektrischen Eigenschaften regeln die Schaltgeschwindigkeit in Impulsanwendungen?

Die typische Gate-Ladung von 7,5 nC ist der Schlüsselparameter, der die Antriebsanforderungen und Schaltübergangszeiten bei der Auswahl von Gate-Treibern beeinflusst.