Nexperia BUK9M3580E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 26 A 62 W, 4-Pin BUK9M35-80EX LFPAK

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RS Best.-Nr.:
153-0640
Herst. Teile-Nr.:
BUK9M35-80EX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

BUK9M3580E

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.6 mm

Länge

3.4mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 80 V, 35 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.

Q101-konform

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:

Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C

Kfz-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V

Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung

Getriebesteuerung

Schalten von extrem hohen Leistungen

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