Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 3.9 W, 3-Pin PMV50ENEAR SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-0664
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV50ENEAR
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.9.725
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.389 | CHF.9.61 |
| 250 - 600 | CHF.0.221 | CHF.5.48 |
| 625 - 1225 | CHF.0.21 | CHF.5.36 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.21 | CHF.5.20 |
| 2500 + | CHF.0.20 | CHF.5.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 153-0664
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV50ENEAR
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 69mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 69mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Logikstufenkompatibel
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
Verwandte Links
- Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 3,9 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 3,9 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,9 A 1,92 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 1,5 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A 6,94 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 4,5 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 400 mA 1,14 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV45EN2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,1 A 5 W, 3-Pin SOT-23