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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	69mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	3.9W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1mm
	Länge	3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 69mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 3.9W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1mm
	Länge 3mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

N-Kanal-Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Logikstufenkompatibel

Sehr schnelle Schaltung

Trench MOSFET-Technologie

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23

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