Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin PMV27UPEAR SOT-23

RS Best.-Nr.:: 153-1876
Herst. Teile-Nr.:: PMV27UPEAR
Marke:: Nexperia

Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin PMV27UPEAR SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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250 - 600	CHF.0.20	CHF.4.99
625 - 1225	CHF.0.189	CHF.4.62
1250 - 2475	CHF.0.179	CHF.4.49
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RS Best.-Nr.:: 153-1876
Herst. Teile-Nr.:: PMV27UPEAR
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-5.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-20V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	63mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Verlustleistung Pd	4.15W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14.7nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3mm
	Breite	1.4 mm
	Höhe	1mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -20V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Verlustleistung Pd 4.15W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.7nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3mm
	Breite 1.4 mm
	Höhe 1mm
	Automobilstandard AEC-Q101

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie

Niedrige Schwellenspannung

Sehr schnelle Schaltung

Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

LED-Treiber

Ausschalten

High-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin PMV27UPEAR SOT-23

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