Nexperia BSH201 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 417 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-8348
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH201,215
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF 10.50
Auf Lager
- 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 720 Einheit(en) mit Versand ab 03. November 2026
- Zusätzlich 5'280 Einheit(en) mit Versand ab 04. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 140 | CHF 0.525 | CHF 10.42 |
| 160 - 740 | CHF 0.465 | CHF 9.39 |
| 760 + | CHF 0.414 | CHF 8.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 725-8348
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH201,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BSH201 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BSH201 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia BSH201 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 417 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSH203 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 470 mA 417 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSH105 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.05 A 417 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS84 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS84AK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 180 mA 420 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX2301P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV32UP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 415 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV48XP Typ P-Kanal, Oberfläche P-Kanal-Trench-MOSFET Erweiterung 20 V / 3.5 A 930 mW, 3-Pin SOT-23