International Rectifier IRLML2502 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 162-3304
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2502TRPBF
- Marke:
- International Rectifier
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.5.86
Auf Lager
- Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 05. Juni 2026
- Zusätzlich 41'520 Einheit(en) mit Versand ab 24. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.293 | CHF.5.84 |
| 200 - 480 | CHF.0.222 | CHF.4.38 |
| 500 - 980 | CHF.0.202 | CHF.4.08 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.131 | CHF.2.63 |
| 2000 + | CHF.0.101 | CHF.2.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 162-3304
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2502TRPBF
- Marke:
- International Rectifier
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | International Rectifier | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | IRLML2502 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke International Rectifier | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie IRLML2502 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- TH
Einfacher N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 20 V mit Micro-3-Bauform
SOT-23-Bauform mit Industriestandard-PinbelegungKompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken, halogenfreiHerstellerübergreifende KompatibilitätEinfacher in der HerstellungUmweltfreundlicherErhöhte Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- International Rectifier IRLML2502 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- International Rectifier AUIRLL014N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 2 A 1 W, 3-Pin SOT-223
- International Rectifier AUIRFL024N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 2,8 A 1 W, 3-Pin SOT-223
- International Rectifier IRF7424PbF Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- International Rectifier MOSFET MOSFET 2 A 6-Pin PDIP 60 V 500 μs
- International Rectifier Stromsensor IC SOIC W, 16-Pin SMD 10.5 x 7.6 x 2.35mm
- International Rectifier IGBT / 240 A ±20V max., 600 V 750 W, 3-Pin Super-247 N-Kanal
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.9 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23