onsemi NTD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 74 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 163-2293
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD20N03L27T4G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 163-2293
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD20N03L27T4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | NTD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 24 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie NTD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 24 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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