Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 165-5705
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P407ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.869.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF 0.869 | CHF 867.59 |
| 2000 + | CHF 0.848 | CHF 846.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-5705
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P407ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10mm | |
| Breite | 9.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10mm | ||
Breite 9.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P
Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 80 A, 3-Pin TO-263