Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.9 A 2 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
165-5841
Herst. Teile-Nr.:
IRLTS2242TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.75 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Höhe

1.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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