Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.9 A 2 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 830-3401
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLTS2242TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | CHF.0.315 | CHF.9.55 |
| 150 - 270 | CHF.0.242 | CHF.7.37 |
| 300 - 720 | CHF.0.231 | CHF.6.87 |
| 750 - 1470 | CHF.0.21 | CHF.6.40 |
| 1500 + | CHF.0.147 | CHF.4.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 830-3401
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLTS2242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.75 mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.75 mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
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