Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 3.6 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5940
Herst. Teile-Nr.:: IRF7380TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 3.6 A 2 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRF7380TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	73mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,6A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7380TRPBF

Dieser MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Mit einer hohen Nennspannung und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 3,6 A ist er für Hochfrequenz-DC-DC-Wandler geeignet und gewährleistet eine zuverlässige Leistung. Sein fortschrittliches Design bietet eine praktische Lösung für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Mechanik, die eine vielseitige Komponente für ihre Schaltungen suchen.

Eigenschaften und Vorteile

• SO-8-Gehäuse nach Industriestandard gewährleistet Kompatibilität mit verschiedenen Anbietern

• Niedriger Rds(on) von 73mΩ optimiert den Wirkungsgrad bei Leistungsanwendungen

• Der Betrieb im Enhancement-Modus verbessert die Leistungsmerkmale

• Niedrige Gate-Ladung von 15nC ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten

• Maximale Drain-Source-Spannung von 80 V für hohe Leistungsanforderungen

• RoHS-konform und halogenfrei fördert die Umweltsicherheit

Anwendungsbereich

• Einsatz in Hochfrequenz-DC-DC-Wandlern zur Leistungsregelung

• Wirksam in Batteriemanagementsystemen, die eine geringe Verlustleistung erfordern

• Geeignet für Motorsteuerungen, die eine effiziente Schaltleistung benötigen

• Einsatz in Stromversorgungseinheiten zur Verbesserung der Gesamteffizienz

• Geeignet für die Ansteuerung induktiver Lasten wie Relais und Magnetspulen

Welche Auswirkungen hat der maximale kontinuierliche Drainstrom?

Der maximale Dauerstrom von 3,6 A zeigt, dass er auch höhere Ströme in Anwendungen wie Stromversorgungsschaltungen bewältigen kann und einen stabilen Betrieb ohne Überhitzung gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf die Leistung aus?

Der niedrige Rds(on) von 73mΩ reduziert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz des Systems, was insbesondere bei Hochfrequenzschaltanwendungen von Vorteil ist.

Welche Bedeutung haben die Temperaturwerte?

Der Betrieb zwischen -55°C und +150°C gewährleistet, dass das Bauteil auch rauen Umgebungsbedingungen standhält, wodurch es für industrielle Anwendungen geeignet ist.

Kann dieses Bauteil direkt auf Leiterplatten montiert werden?

Ja, das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in PCB-Layouts, fördert effiziente Fertigungsprozesse und sorgt für platzsparende Vorteile in kompakten Designs.

Welchen Einfluss hat die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb?

Mit einer Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V bietet er Designflexibilität und ermöglicht die Kompatibilität mit verschiedenen Steuersignalen bei gleichzeitiger Gewährleistung einer effektiven Bauteilaktivierung.