Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -3.6 A 1.8 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 262-6742
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7606TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 262-6742
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7606TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Er ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern geeignet.
Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom
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