Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 913-4060
Herst. Teile-Nr.:: IRLML9301TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.252.00

Auf Lager

54’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 - 3000	CHF.0.084	CHF.242.55
6000 - 6000	CHF.0.074	CHF.229.95
9000 +	CHF.0.074	CHF.214.20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 913-4060
Herst. Teile-Nr.:: IRLML9301TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	64mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.8nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	1.4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 1.4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 3,6 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRLML9301TRPBF

Dieser MOSFET-Halbleiter ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Er zeichnet sich durch ein oberflächenmontiertes (SOT-23) Design aus, das eine einfache Integration in kompakte elektronische Schaltungen ermöglicht. Das Bauteil arbeitet effektiv mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 3,6 A und kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V verarbeiten.

Eigenschaften und Vorteile

• Die Konfiguration im Erweiterungsmodus ermöglicht einen effizienten Betrieb

• Hoher Gate-Schwellenspannungsbereich erhöht die Zuverlässigkeit

• Höhere thermische Belastbarkeit

• Optimiert für Pulled-Drain-Stromwerte, erhöht die Leistungszuverlässigkeit

Anwendungen

• Für die Energieverwaltung in tragbaren Geräten

• Ideal für Automatisierungssteuerungen

• Verwendet in Audioverstärkern und Signalprozessoren

• Geeignet für DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen

• Hervorragend geeignet für den Antrieb von Motoren in Robotern

Wie wirkt sich der niedrige Wert des Einschaltwiderstands auf die Leistung aus?

Der niedrige Einschaltwiderstand von 64 mΩ ermöglicht eine geringere Wärmeentwicklung während des Betriebs, was den Gesamtwirkungsgrad erhöht und die Lebensdauer der Komponenten in Hochstromanwendungen verlängert.

Welchen Nutzen hat der Anreicherungsmodus für die Schaltungsentwicklung?

Der Anreicherungsmodus ermöglicht es dem MOSFET, ausgeschaltet zu bleiben, bis eine bestimmte Gate-Spannung erreicht ist, und bietet so eine zuverlässige Schaltsteuerung, die sich für verschiedene elektronische Designs eignet, ohne unnötigen Leistungsverlust.

Kann dieses Bauteil hohen Temperaturen standhalten?

Ja, er ist für einen zuverlässigen Betrieb bei Temperaturen von bis zu +150 °C ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen, die rauen Umgebungen oder intensiver Nutzung ausgesetzt sind.