Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 913-4076
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML6244TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.252.00
Auf Lager
- 18’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.084 | CHF.267.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-4076
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML6244TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,7 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23