Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-9353
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-312
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2030TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 725-9353
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-312
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2030TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 mΩ maximaler Drain-Source-Widerstand – IRLML2030TRPBF
Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für das Schalten mit geringem Stromverbrauch in SMD-Baugruppen mit kleinem Formfaktor entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine Sperrkapazität von 30 V erfordern, und führt Schaltfunktionen über einen breiten Umgebungsbereich von kalten bis hin zu hohen Temperaturen aus.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 100 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 2,7 A unterstützt den Dauerlastbetrieb
• Geringe Gate-Ladung von 1 nC ermöglicht schnelles, effizientes Schalten
• Maximale Verlustleistung von 1,3 W ermöglicht thermische Budgetierung
• Gate-Source-Festigkeit von 20 V bietet Eingangsspannungsbereich für Treiber
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 2,7 A unterstützt den Dauerlastbetrieb
• Geringe Gate-Ladung von 1 nC ermöglicht schnelles, effizientes Schalten
• Maximale Verlustleistung von 1,3 W ermöglicht thermische Budgetierung
• Gate-Source-Festigkeit von 20 V bietet Eingangsspannungsbereich für Treiber
Anwendungsbereich
• Geeignet für Batterieschutz und Lastschaltschaltkreise
• Ideal für die Energieverwaltung tragbarer Geräte
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern in kleinen SMD-Designs
• Kann für LED-Treiber und kleine Motorsteuerungen verwendet werden
• Geeignet für die Signalpegelumschaltung in der Unterhaltungselektronik
• Ideal für die Energieverwaltung tragbarer Geräte
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern in kleinen SMD-Designs
• Kann für LED-Treiber und kleine Motorsteuerungen verwendet werden
• Geeignet für die Signalpegelumschaltung in der Unterhaltungselektronik
In welchem Temperaturbereich kann er betrieben werden?
Es funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz unter extremen Umgebungsbedingungen.
Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine kompakte Platzierung der Leiterplatte ermöglicht.
Welche elektrische Rolle spielt das Gerät bei Schaltkonstruktionen?
Er fungiert als Niederspannungs-Schalttransistor und bewältigt die Ein-/Ausschaltsteuerung bei gleichzeitiger Begrenzung der Leitungsverluste aufgrund seines spezifizierten RDS(on).
Wie klein ist die Grundfläche der Komponenten für die Layoutplanung?
Das Gerät misst 3,04 x 1,4 x 1,02 mm und ermöglicht eine enge Verpackung der Komponenten auf SMD-Platinen.
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