Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 913-4042
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0030TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 913-4042
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0030TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	27mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.6nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	1.4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 1.4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5,3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,3W maximale Verlustleistung - IRLML0030TRPBF

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um effiziente Schaltvorgänge für elektronische Schaltungen in verschiedenen industriellen Anwendungen zu ermöglichen. Seine Enhancement-Mode-FET-Konfiguration gewährleistet eine optimale Leistung für Last- oder Systemschaltaufgaben. Als Schlüsselbauteil in der Automatisierungs- und Elektronikbranche bietet es Vielseitigkeit und hohe Zuverlässigkeit, was es zu einer grundlegenden Wahl für Ingenieure macht.

Eigenschaften und Vorteile

• 5,3 A kontinuierlicher Drainstrom erweitert die Betriebsfähigkeit

• 30 V maximale Drain-Source-Spannung für anspruchsvolle Anwendungen

• Niedriger Rds(on) von 27 mΩ minimiert Energieverluste während des Betriebs

• Kompatibel mit Oberflächenmontagetechnologie für einfache Integration

• Die hohe Temperaturbeständigkeit von +150 °C gewährleistet die Leistung in schwierigen Umgebungen

• RoHS-konform, fördert umweltfreundliches Design und umweltfreundliche Herstellung

Anwendungsbereich

• Einsatz in Mikrocontroller-Schnittstellen für das Lastmanagement

• Geeignet für Automobilelektronik zur Schaltersteuerung

• Wird in Stromversorgungsschaltungen zur effizienten Stromverarbeitung eingesetzt

• Ideal für Unterhaltungselektronik, die kompakte Stromversorgungslösungen erfordert

• Anwendung in Automatisierungssystemen für konsistente Steuerungsvorgänge

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf das Schaltverhalten aus?

Die Gate-Schwellenspannung gibt die minimale Gate-Source-Spannung an, die zur Aktivierung des Bauelements erforderlich ist, und beeinflusst dessen Schaltgeschwindigkeit und Betriebseffizienz.

Welche Überlegungen sollten bei der Installation hinsichtlich des Wärmemanagements angestellt werden?

Eine angemessene Wärmeableitung muss gewährleistet sein, da die maximale Betriebstemperatur +150 °C beträgt, was für die Aufrechterhaltung von Leistung und Sicherheit entscheidend ist.

Kann es in bestehende Schaltungen für andere Technologien integriert werden?

Ja, er verfügt über eine dem Industriestandard entsprechende Pinbelegung, die die Kompatibilität mit verschiedenen bestehenden Oberflächenmontagetechniken gewährleistet.

Welche Auswirkungen hat die maximale Gate-Source-Spannung?

Die Nennspannung von ±20 V muss eingehalten werden, um eine Beschädigung des Gatters zu vermeiden und einen stabilen Betrieb innerhalb der angegebenen Grenzen zu gewährleisten.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.