Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
913-4051
Herst. Teile-Nr.:
IRLML0040TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,6A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,3W maximale Verlustleistung - IRLML0040TRPBF


Dieser Leistungs-MOSFET wurde für Effizienz und Zuverlässigkeit in einer Reihe von elektronischen Schaltungen entwickelt. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand und seiner hohen Leistung eignet er sich für Anwendungen, die Energieeffizienz und einen robusten Betrieb erfordern. Dieses Bauteil zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, große elektrische Lasten zu bewältigen, was es für Ingenieure und Fachleute in den Bereichen Automatisierung und Elektronik interessant macht.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger RDS(on) von 56mΩ reduziert Schaltverluste

• Unterstützt den Enhancement-Modus für eine effiziente Energiekontrolle

• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 3,6 A für einen stabilen Betrieb

• Arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V

• Entwickelt für die Oberflächenmontage, perfekt für kompakte Designs

• Kompatibel mit HEXFET-Technologie für hohe Leistung

Anwendungsbereich


• Ideal für Last- und Systemschalter

• Einsatz in DC-Motorantriebssystemen

• Wirksam für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Verstärker

• Geeignet für Oberflächenmontage in kompakter Schaltungstechnik

• Wird in verschiedenen leistungselektronischen Schaltungen eingesetzt

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Geräts?


Der Wärmewiderstand beträgt typischerweise 100°C/W, was eine effiziente Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung des Bauelements aus?


Die Gate-Schwellenspannung reicht von 1,0 V bis 2,5 V und bietet somit Flexibilität bei der Gate-Steuerung für verschiedene Anwendungen.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, dieses Bauteil kann gepulste Ableitströme verkraften, die seine Dauerleistung übersteigen, und gewährleistet so Zuverlässigkeit unter transienten Bedingungen.

Welche Faktoren beeinflussen die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?


Die Verlustleistung wird hauptsächlich von der Umgebungstemperatur und dem Wärmewiderstand beeinflusst, die sich auf die Sperrschichttemperatur unter Last auswirken.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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