Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 725-9347
Distrelec-Artikelnummer:: 304-45-310
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0040TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 725-9347
Distrelec-Artikelnummer:: 304-45-310
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0040TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	56mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.6nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.04mm
	Breite	1.4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.02mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.04mm
	Breite 1.4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.02mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,6A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,3W maximale Verlustleistung - IRLML0040TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET wurde für Effizienz und Zuverlässigkeit in einer Reihe von elektronischen Schaltungen entwickelt. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand und seiner hohen Leistung eignet er sich für Anwendungen, die Energieeffizienz und einen robusten Betrieb erfordern. Dieses Bauteil zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, große elektrische Lasten zu bewältigen, was es für Ingenieure und Fachleute in den Bereichen Automatisierung und Elektronik interessant macht.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger RDS(on) von 56mΩ reduziert Schaltverluste

• Unterstützt den Enhancement-Modus für eine effiziente Energiekontrolle

• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 3,6 A für einen stabilen Betrieb

• Arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V

• Entwickelt für die Oberflächenmontage, perfekt für kompakte Designs

• Kompatibel mit HEXFET-Technologie für hohe Leistung

Anwendungsbereich

• Ideal für Last- und Systemschalter

• Einsatz in DC-Motorantriebssystemen

• Wirksam für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Verstärker

• Geeignet für Oberflächenmontage in kompakter Schaltungstechnik

• Wird in verschiedenen leistungselektronischen Schaltungen eingesetzt

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Geräts?

Der Wärmewiderstand beträgt typischerweise 100°C/W, was eine effiziente Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung des Bauelements aus?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von 1,0 V bis 2,5 V und bietet somit Flexibilität bei der Gate-Steuerung für verschiedene Anwendungen.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?

Ja, dieses Bauteil kann gepulste Ableitströme verkraften, die seine Dauerleistung übersteigen, und gewährleistet so Zuverlässigkeit unter transienten Bedingungen.

Welche Faktoren beeinflussen die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?

Die Verlustleistung wird hauptsächlich von der Umgebungstemperatur und dem Wärmewiderstand beeinflusst, die sich auf die Sperrschichttemperatur unter Last auswirken.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.