Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 165-6283
- Herst. Teile-Nr.:
- SI9407BDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-6283
- Herst. Teile-Nr.:
- SI9407BDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | TrenchFET Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | Si9407BDY | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ TrenchFET Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie Si9407BDY | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Höhe 1.55mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20.5 A 5.7 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4164DY Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin US
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP