Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.3 A 19 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 165-6297
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 165-6297
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ThunderFET | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.15 mm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ThunderFET | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.15 mm | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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