Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 50 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6576
Herst. Teile-Nr.:
BSZ110N06NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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