Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 218-2986
Herst. Teile-Nr.:: BSZ099N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TSDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 218-2986
Herst. Teile-Nr.:: BSZ099N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	46A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TSDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.9mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.9nC
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	3.4mm
	Länge	3.4mm
	Höhe	1.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TSDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.9mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.9nC
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 3.4mm
	Länge 3.4mm
	Höhe 1.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ099N06LS5ATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 46 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ099N06LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom-N-Kanalanwendungen in kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und bietet ein kontrolliertes Gate-Drive-Verhalten für schnelle Schaltvorgänge.

Merkmale und Vorteile:

• 60-V-Ableitstrom ermöglicht Schaltfunktionen bei mittlerer Spannung
• 46 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine hohe Strombelastbarkeit
• 9,9 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste bei Nennstrom
• Maximale Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 6,9 nC reduziert den Schaltenergiebedarf
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in kompakten Netzteilen
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichterstufen
• Wird für Schaltelementen mit Motorantrieb und Halbbrücke verwendet
• Kann für das Energiemanagement in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die kleine Abmessungen erfordern

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart werden verwendet?

Er wird in einem TSDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage ausgelegt ist.

Welche thermische Leistung wird über den gesamten Betriebsbereich hinweg erwartet?

Es arbeitet von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?

Eine typische Gate-Ladung von 6,9 nC reduziert die Antriebsenergie und unterstützt schnellere Übergänge.

Welche Gate-Source-Spannung sollte für einen sicheren Betrieb beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden am Gerät zu vermeiden.

Wie ist die Konfiguration des Gerätekanals?

Das Gerät verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus für Standard-MOSFET-Schaltung.