Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 17 A 2.1 W, 8-Pin BSZ0589NSATMA1 TSDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.11.56

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 20’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +CHF.0.578CHF.11.57

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-2984
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0589NSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.4mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Wireless-Ladegerät optimiert.

Niedriger FOMSW für Hochfrequenz-SMPS

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on) @ VGS=4,5 V

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

Verwandte Links