Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 126 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8986
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ025N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.1.313 | CHF.19.68 |
| 75 - 135 | CHF.1.252 | CHF.18.71 |
| 150 - 360 | CHF.1.192 | CHF.17.92 |
| 375 - 735 | CHF.1.141 | CHF.17.13 |
| 750 + | CHF.1.061 | CHF.15.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8986
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ025N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 126A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 126A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Produktfamilien Infineon 40 V und 60 V verfügen nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
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