Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 126 A 69 W, 8-Pin BSZ025N04LSATMA1 TSDSON

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214-8986
Herst. Teile-Nr.:
BSZ025N04LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

126A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Breite

6.1 mm

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Die Produktfamilien Infineon 40 V und 60 V verfügen nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

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