Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 170-2300
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 170-2300
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | BSZ097N10NS5 | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie BSZ097N10NS5 | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS™ 5 100V, die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs von Infineon, wurde eigens für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Zusätzlich können diese Bauelemente in anderen industriellen Anwendungen wie Solar, Niederspannungsantriebe und Adapter verwendet werden. Die neuen MOSFETs der Serie OptiMOS™ 5 100V MOSFETs sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich und bieten den branchenweit niedrigsten R DS(on)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Vorteile:
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niedrige Spannungsübersteuerung
Anwendungsbereiche:
Telekom
Server
Solar
Niederspannungsantriebe
Leichte Elektrofahrzeuge
Adapter
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