Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ0804LSATMA1 TSDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:
234-6992
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0804LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON-8 FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Höhe

1.2mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon OptiMOSTM PD richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Das Produkt bietet einen schnellen Aufwärtsschritt und optimierte Leitzeiten. Die Niederspannungs-MOSFETs OptiMOSTM für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Senkung der BOM-Kosten führt, und bieten Qualitätsprodukte in kompakten, leichten Gehäusen. Er verfügt über einen maximalen durchgehenden Ablassstrom von 40 A und eine maximale Ablassquellenspannung von 100 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschalten und für Ladegeräte optimiert.

Logikpegelverfügbarkeit

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

Niedrige Gate-, Ausgangs- und umgekehrte Wiederherstellungsladung

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100 % Avalanche-getestet

Pb-freie Bleiplattierung

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

RoHS-Konformität

Erhältlich in 2 kleinen Standardgehäusen

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