Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ0804LSATMA1 TSDSON-8 FL

RS Best.-Nr.:: 234-6993
Herst. Teile-Nr.:: BSZ0804LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ0804LSATMA1 TSDSON-8 FL

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.7.72

Nur noch Restbestände

Letzte 1’535 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.1.544	CHF.7.70
50 - 120	CHF.1.355	CHF.6.77
125 - 245	CHF.1.281	CHF.6.38
250 - 495	CHF.1.187	CHF.5.92
500 +	CHF.1.092	CHF.5.46

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 234-6993
Herst. Teile-Nr.:: BSZ0804LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	BSZ
	Gehäusegröße	TSDSON-8 FL
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13.5mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.35mm
	Breite	6.1 mm
	Höhe	1.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie BSZ
	Gehäusegröße TSDSON-8 FL
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.35mm
	Breite 6.1 mm
	Höhe 1.2mm
	Automobilstandard Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon OptiMOSTM PD richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Das Produkt bietet einen schnellen Aufwärtsschritt und optimierte Leitzeiten. Die Niederspannungs-MOSFETs OptiMOSTM für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Senkung der BOM-Kosten führt, und bieten Qualitätsprodukte in kompakten, leichten Gehäusen. Er verfügt über einen maximalen durchgehenden Ablassstrom von 40 A und eine maximale Ablassquellenspannung von 100 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschalten und für Ladegeräte optimiert.

Logikpegelverfügbarkeit

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

Niedrige Gate-, Ausgangs- und umgekehrte Wiederherstellungsladung

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100 % Avalanche-getestet

Pb-freie Bleiplattierung

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

RoHS-Konformität

Erhältlich in 2 kleinen Standardgehäusen

Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ0804LSATMA1 TSDSON-8 FL

Verwandte Links