Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 142 A 69 W, 8-Pin BSZ0901NSIATMA1 PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:
273-5245
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0901NSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

142A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über eine integrierte monolithische Schottky-ähnliche Diode. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet. Optimierter SyncFET für Hochleistungs-Buck-Wandler.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Sehr geringer Einschaltwiderstand

Überlegene Wärmebeständigkeit

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