Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 54 A 95 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 349-155
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ143N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 349-155
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ143N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | ISZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8FL | ||
Serie ISZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungs-MOSFET für 135 V, normaler Pegel, ist in einem PQFN-Gehäuse mit den Abmessungen 3,3 x 3,3 mm erhältlich. OptiMOS 6 135 V zielt auf leistungsstarke Motorantriebsanwendungen wie LEVs, E-Gabelstapler, Elektro- und Gartengeräte, aber auch auf USV-Anwendungen, die überwiegend 72- bis 84-V-Batterien verwenden. Dieses Produkt überbrückt effektiv die Lücke zwischen den 120-V- und 150-V-MOSFETs und bietet erhebliche Verbesserungen bei RDS(on) und Kosten, was zur Verbesserung der Systemeffizienz beiträgt.
Reduzierung der Systemkosten
Weniger Parallelisierung erforderlich
Reduzierte VDS-Überschwinger und Schaltverluste
Designs mit höherer Leistungsdichte
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