Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 26 A 88 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:
349-157
Herst. Teile-Nr.:
ISZ520N20NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

ISZ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.9nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 MOSFET setzt den neuen Technologiestandard. Er erfüllt die Anforderungen an eine hohe Leistungsdichte, einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit. Die OptiMOS 6 200 V-Technologie wurde für optimale Leistung in Motorantriebsanwendungen wie LEV, Gabelstapler und Drohnen entwickelt. Der neue OptiMOS 6 zeichnet sich durch einen branchenführenden RDS(on), verbesserte Schalt- und Stromaufteilungsfähigkeiten aus, die eine hohe Leistungsdichte, weniger Parallelschaltungen und eine hervorragende EMI-Leistung ermöglichen.

Geringe Leitungsverluste

Geringe Schaltverluste

Stabiler Betrieb mit verbesserter EMI

Weniger Parallelisierung erforderlich

Bessere Stromaufteilung bei Parallelschaltung

Umweltfreundlich

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