Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 100 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-154
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.848 | CHF.9.22 |
| 50 - 95 | CHF.1.757 | CHF.8.77 |
| 100 - 495 | CHF.1.626 | CHF.8.12 |
| 500 - 995 | CHF.1.495 | CHF.7.46 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-154
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISZ | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISZ | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS Linear FET von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz, der den Konflikt zwischen Einschaltwiderstand und linearer Betriebsfähigkeit löst. In Kombination mit dem kostengünstigen, flachen PQFN-Gehäuse (3,3x3,3) ist er für Softstart und Strombegrenzung in Power-over-Ethernet (PoE)-Anwendungen geeignet.
Großer sicherer Arbeitsbereich
Niedriger RDS(ein)
Hoher max. Impulsstrom
Hoher max. Dauerstrom
Erhältlich in einem kleinen, flachen Gehäuse
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