Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 100 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.87

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.174CHF.10.85
50 - 95CHF.2.058CHF.10.31
100 - 495CHF.1.911CHF.9.55
500 - 995CHF.1.754CHF.8.78
1000 +CHF.1.691CHF.8.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-154
Herst. Teile-Nr.:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS Linear FET von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz, der den Konflikt zwischen Einschaltwiderstand und linearer Betriebsfähigkeit löst. In Kombination mit dem kostengünstigen, flachen PQFN-Gehäuse (3,3x3,3) ist er für Softstart und Strombegrenzung in Power-over-Ethernet (PoE)-Anwendungen geeignet.

Großer sicherer Arbeitsbereich

Niedriger RDS(ein)

Hoher max. Impulsstrom

Hoher max. Dauerstrom

Erhältlich in einem kleinen, flachen Gehäuse

Verwandte Links