Infineon ISZ N-Kanal, Oberfläche OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:
273-3044
Herst. Teile-Nr.:
ISZ040N03L5ISATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

ISZ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Durchlassspannung Vf

700mV

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21

Automobilstandard

Nein

Die Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine breite Zugänglichkeit und ein wettbewerbsfähiges Preis/Leistungs-Verhältnis.

Ermöglicht kostengünstige Lösungen

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