Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 273-3043
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ040N03L5ISATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.1’315.00
Auf Lager
- 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.263 | CHF.1’296.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3043
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ040N03L5ISATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | ISZ | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie ISZ | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine breite Zugänglichkeit und ein wettbewerbsfähiges Preis/Leistungs-Verhältnis.
Ermöglicht kostengünstige Lösungen
Schneller Versand
Verwandte Links
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin ISC011N03L5SATMA1
- Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 128 A 83 W, 8-Pin ISZ028N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 109 A 71 W, 8-Pin ISZ033N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 26 A 88 W, 8-Pin ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 54 A 95 W, 8-Pin ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A, 8-Pin PG-TSDSON-8FL