Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ097N10NS5ATMA1 TSDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2342
Herst. Teile-Nr.:: BSZ097N10NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ097N10NS5ATMA1 TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2342
Herst. Teile-Nr.:: BSZ097N10NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TSDSON
	Serie	BSZ097N10NS5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Breite	3.4 mm
	Länge	3.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TSDSON
	Serie BSZ097N10NS5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Breite 3.4 mm
	Länge 3.4mm
	Automobilstandard Nein

Der OptiMOS™ 5 100V, die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs von Infineon, wurde eigens für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Zusätzlich können diese Bauelemente in anderen industriellen Anwendungen wie Solar, Niederspannungsantriebe und Adapter verwendet werden. Die neuen MOSFETs der Serie OptiMOS™ 5 100V MOSFETs sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich und bieten den branchenweit niedrigsten R DS(on)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %

Vorteile:

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niedrige Spannungsübersteuerung

Anwendungsbereiche:

Telekom

Server

Solar

Niederspannungsantriebe

Leichte Elektrofahrzeuge

Adapter

Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ097N10NS5ATMA1 TSDSON

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