Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 17 A 2.1 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 218-2983
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0589NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-2983
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0589NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Wireless-Ladegerät optimiert.
Niedriger FOMSW für Hochfrequenz-SMPS
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on) @ VGS=4,5 V
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
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