Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ100N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- BSZ100N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ100N06NSATMA1
Diese MOSFET- und Diodenkomponente ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät für Leistungsschaltanwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine integrierte Diodenleistung erfordern. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Designs, die eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, während er in einem kompakten TSDSON-Gehäuse untergebracht ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 1 mΩ maximaler RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromstufen
• 12 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schaltverhalten
• Die maximale Verlustleistung von 36 W hält die thermische Last kurz aufrecht
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Platz für Antriebsschaltkreise
• 1 mΩ maximaler RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromstufen
• 12 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schaltverhalten
• Die maximale Verlustleistung von 36 W hält die thermische Last kurz aufrecht
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Platz für Antriebsschaltkreise
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern
• Ideal für die Umschaltung der Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantrieb-Halbbrücken, die einen hohen Strombedarf erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Lastschaltung verwendet werden
• Zur Belastungspunktregelung in kompakten Systemen
• Ideal für die Umschaltung der Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantrieb-Halbbrücken, die einen hohen Strombedarf erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Lastschaltung verwendet werden
• Zur Belastungspunktregelung in kompakten Systemen
Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?
Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage in einem TSDSON-Gehäuse vorgesehen.
Wie viele Anschlussstifte sind für Leiterplatten-Layout verfügbar?
Das Gerät verwendet acht Stifte für elektrische und mechanische Verbindungen.
Welchen Kanal-Leitungsmodus nutzt er?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus.
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