Infineon OptiMOS-TM3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 63 A 46 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4628
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ068N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5000 + | CHF 0.354 | CHF 1'762.45 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4628
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ068N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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