Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
218-2985
Herst. Teile-Nr.:
BSZ099N06LS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.9mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. Es ist sehr gut geeignet für drahtloses Laden, Adapter und Telekommunikationsanwendungen. Die Geräte mit niedriger Gate-Ladung (Q g) reduzieren Schaltverluste ohne Kompromisse bei den Leitungsverlusten.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

Bleifreie Leitungsbeschichtung

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